西门子5SL6216-7CC

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1．故障现象：主轴电动机M1不能起动。

原因分析：

①控制电路没有电压。

②控制线路中的熔断器FU5熔断。

③接触器KM1未吸合，按起动按钮SB2，接触器KM1若不动作，故障必定在控制电路，如按钮SB1、SB2的触头接触不良，接触器线圈断线，就会导致KM1不能通电动作。

当按SB2后，若接触器吸合，但主轴电动机不能起动，故障原因必定在主线路中，可依次检查接触器KM1主触点及三相电动机的接线端子等是否接触良好。

2．故障现象：主轴电动机不能停转。

原因分析：

这类故障多数是由于接触器KM1的铁芯面上的油污使铁芯不能释放或KM1的主触点发生熔焊，或停止按钮SB1的常闭触点短路所造成的。应切断电源，清洁铁芯较面的污垢或更换触点，即可排除故障。

3．故障现象：主轴电动机的运转不能自锁。

原因分析：

当按下按钮SB2时，电动机能运转，但放松按钮后电动机即停转，是由于接触器KM1的辅助常开触头接触不良或位置偏移、卡阻现象引起的故障。这时只要将接触器KM1的辅助常开触点进行修整或更换即可排除故障。辅助常开触点的连接导线松脱或断裂也会使电动机不能自锁。

4．故障现象：架快速移动电动机不能运转

原因分析：

按点动按钮SB3，接触器KM3未吸合，故障必然在控制线路中，这时可检查点动按钮SB3，接触器KM3的线圈是否断路。

5．故障现象：M1能起动，不能能耗制动

起动主轴电动机M1后，若要实现能耗制动，只需踩下行程开关SＱ1即可。若踩下行程开关SＱ1，不能实现能耗制动，其故障现象通常有两种，一种是电动机M1能自然停车，另一种是电动机M1不能停车，仍然转动不停。

原因分析：

踩下行程开关SＱ1，不能实现能耗制动，其故障范围可能在主电路，也可能在控制电路中电路。有3种方法。

①由故障现象确定  当踩下行程开关SＱ1时，若电动机能自然停车，说明控制电路中KT（02-03）能断开，时间继电器KT线圈得过电，不能制动的原因在于接触器KM4是否动作。KM4动作，故障点在主电路中；KM4不动作，故障点在控制电路中。当踩下行程开关SＱ1时，若电动机能不能停车，说明控制电路中KT（02-03）不能断开，致使接触器KM1线圈不能断电释放，从而造成电动机不停车，其故障点在控制电路中，这时可以检查继电器KT线圈是否得电。

②由电器的动作情况确定  当踩下行程开关SＱ1进行能耗制动时，反复观察电器KT和KM4的衔铁有无吸合动作。若KT和KM4的衔铁先后吸合，则故障点肯定在主电路的能耗制动支路中；KT和KM4的衔铁只要有一个不吸合，则故障点必在控制电路的能耗制动支路中。

③强行使接触器KM4的衔铁吸合  若此时仍不能实现能耗制动，说明故障点在主电路；若此时可以实现能耗制动，则不能实现能耗制动的故障原因不在主电路，必在控制电路中

IGBT用于开关许多产品中的电源，这些产品包括变频驱动器(VFD)、伺服驱动器、电动汽车、巴士和卡车、火车、医疗设备（X光和MRI）、空调甚至一些专业音频系统等。这些产品都属于“大功率”应用，它们很容易被视为电气产品而非电子产品，因此人们会认为它们并不容易受损。然而，有很多不同的失效机制会导致IGBT损坏，除非在设计过程中格外用心，确保器件的正确操作。

与所有器件一样，运行环境（温度、热冲击、热和功率循环以及振动）可造成IGBT失效。ESD（静电放电）也是一个失效因素。由于IGBT和门较驱动器往往由机柜安装人员而非电子专业人员进行安装，所以毫不出奇非常多的失效是由人为操作不当引起。要防止IGBT出现此类失效，主要在于严格遵循安装指南，并确保器件在规定的操作条件下工作。

过流是另一个潜在的失效原因。针对此问题有集成的解决方案可供使用，但也有简单、的解决方案，即在交流输出端使用电流传感器进行测量来实现，而大多数客户更愿意选择的方案。

其他的主要失效机制有短路、di/dt过高、dv/dt过高以及门较-发射较和集电极-发射较过压。行业所需要的就是针对这些失效机制的保护功能，当功率水平达到100 kW且系统成本较为昂贵时尤为需要，因此Power Integrations等IGBT驱动器厂商已在其产品中集成了创新的可靠保护机制，能够解决这些问题，从而为IGBT模块提供强有力的保护。

短路

一种常用的检测短路从而在IGBT损坏之前将其关断的方法是，使用一个集成了退饱和保护功能的光耦IC。遗憾的是，这种方法有两个劣势。**，具有退饱和保护功能的光耦IC还要求采用高压二极管，而这种二极管不仅成本昂贵，而且损耗也高。*二，也许更重要的是，所需的退饱和监控电子元件通常对EMI或Vce电压尖峰很敏感。这可以导致短路保护误动作，导致IGBT意外关断。

而Power Integrations的IGBT驱动器则采用了不同的方法。他们选用ASIC芯片组以减少元件数量并缩小尺寸，同时提高性能、效率和可扩展性。该芯片组还具备先进的监控和控制功能。为解决短路测量问题，使用SCALE?-2芯片组和电阻串来动态测量IGBT的VCE，请参见图2。这不仅意味着小的电压尖峰不会导致短路保护误触发，而且还拥有其他优势。电阻串方法比标准二极管测量方法的，并且没有耦合电容，因此没有影响效率的多余电容，也不受dv/dt影响。更进一步的优势是，可以使用一个参考管脚调整短路保护的灵敏度，从而适应特定的应用。

高级/动态高级有源钳位

SCALE?-2芯片组还用于实现复杂的有源钳位技术，以应对提到的其他IGBT失效模式——di/dt过高、dv/dt过高以及门较-发射较和集电极-发射较过压。